N- 타입 G1 단결정 실리콘 웨이퍼는 전체 정사각형 158.75 × 158.75 mm 설계를 특징으로하며 광 노출 및 모듈 효율을 극대화합니다. 인 도핑이있는 CZ 방법을 사용하여 제조 된이 제품은 우수한 재료 품질, 낮은 탈구 밀도 (500cm ² 이상) 및 동일하며, 및 및 동일)를 제공하며, 및 및 및 낮은 탈구 밀도 (또는 동일) 및 및 및 및 및 저축 밀도 (또는 동일)를 제공하며, 및 및 및 낮은 탈구 밀도를 제공합니다.<100>결정 방향. N- 타입 전도도, 저항 범위는 0.5–7 Ω · cm, 캐리어 수명 범위는 1000 µs보다 크거나 동일하게, Topcon 및 HJT와 같은 고효율 셀 기술에 적합합니다. 전체 정사각형 모양과 단단한 기하학적 공차는 최적의 모듈 통합 및 성능을 보장합니다.
1. 재료 특성
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재산 |
사양 |
검사 방법 |
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성장 방법 |
CZ |
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결정 성 |
단결정 |
우선 에치 기술(ASTM F47-88) |
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전도도 유형 |
N- 타입 |
NAPSON EC-80TPN |
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도펀트 |
인 |
- |
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산소 농도 [OI] |
보다 작거나 동일합니다8e +17 at/cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
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탄소 농도 [CS] |
보다 작거나 동일합니다5E +16 at/cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
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에칭 피트 밀도 (탈구 밀도) |
보다 작거나 동일합니다500 cm-2 |
우선 에치 기술(ASTM F47-88) |
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표면 방향 |
<100>± 3도 |
X- 선 회절 방법 (ASTM F26-1987) |
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의사 정사각형 측면의 방향 |
<010>,<001>± 3도 |
X- 선 회절 방법 (ASTM F26-1987) |
2. 전기 특성
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재산 |
사양 |
검사 방법 |
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저항 |
1.0-7.0 Ω.cm
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웨이퍼 검사 시스템 |
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MCLT (소수 캐리어 수명) |
1000 µs보다 크거나 같거나 동일합니다 (저항력 ＞ 1.0ohm.cm)
500 µs보다 크거나 동일합니다 (저항력 ＜ 1.0ohm.cm)
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신튼 BCT-400 QSSPC/과도
(주입 수준 : 1E15 cm -3)
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3. 기질 측정
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재산 |
사양 |
검사 방법 |
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기하학 |
의사 광장 |
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베벨 가장자리 모양
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둥근 | |
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웨이퍼 측 길이 |
182 ± 0.25 mm
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웨이퍼 검사 시스템 |
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웨이퍼 직경 |
φ247 ± 0.25 mm |
웨이퍼 검사 시스템 |
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인접한 측면 사이의 각도 |
90도 ± 0.2도 |
웨이퍼 검사 시스템 |
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두께 |
180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
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웨이퍼 검사 시스템 |
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TTV (총 두께 변화) |
보다 작거나 동일합니다 27 µm |
웨이퍼 검사 시스템 |
4.표면 특성
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재산 |
사양 |
검사 방법 |
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절단 방법 |
DW |
-- |
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표면 품질 |
절단 및 청소대로 눈에 보이는 오염, (오일 또는 그리스, 지문, 비누 얼룩, 슬러리 얼룩, 에폭시/접착제 얼룩이 허용되지 않습니다) |
웨이퍼 검사 시스템 |
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마크 / 계단을 보았습니다 |
15µm보다 작거나 동일합니다 |
웨이퍼 검사 시스템 |
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절하다 |
40 µm보다 작거나 동일합니다 |
웨이퍼 검사 시스템 |
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경사 |
40 µm보다 작거나 동일합니다 |
웨이퍼 검사 시스템 |
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칩 |
깊이는 0.3mm 이상이고 길이는 0.5mm 최대 2/PC보다 작거나 동일합니다. V 칩이 없습니다 |
벌거 벗은 눈 또는 웨이퍼 검사 시스템 |
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마이크로 균열 / 구멍 |
허용되지 않습니다 |
웨이퍼 검사 시스템 |
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