태양 전지

실리콘 이종접합 기술(HJT)은 매우 잘 세척된 단결정 실리콘 웨이퍼의 양면에 있는 초박형 비정질 실리콘(a-Si:H) 층의 저온 성장에 의해 생성되는 이미터 및 후면 전계(BSF)를 기반으로 합니다. , 두께가 200μm 미만이며 전자와 정공이 광 생성됩니다. 세포 공정은 우수한 금속화를 허용하는 투명 전도성 산화물의 증착으로 완료됩니다. 금속화는

210mm M12 실리콘 이종접합 기술(HJT) 태양전지는 효율이 24.4%이고 정격 전력이 셀당 10.76W입니다.

실리콘 이종접합 기술(HJT)은 매우 잘 세척된 단결정 실리콘 웨이퍼의 양면에 있는 초박형 비정질 실리콘(a-Si:H) 층의 저온 성장에 의해 생성되는 이미터 및 후면 전계(BSF)를 기반으로 합니다. , 두께 160μm 미만, 6.69Watt/cell@24.4% 효율.

TOPCON(터널 산화물 부동태화 접촉) 기술은 N형 태양 전지 효율을 최대 25%까지 높입니다. 산업용 210mm TOPCon 태양 전지는 최대 효율 24.4%, 정격 전력 10.76Watt입니다.

23% 효율 210mm 태양 전지는 정격 전력이 10.14와트입니다. 132pcs 하프 컷 210mm 모노 PERC 태양 전지는 최대 670와트의 전력으로 태양 전지판을 조립할 수 있습니다.

PERC 기술과 결합된 레이저 SE는 182mm 태양전지 정격 전력을 최대 7.58W의 효율로 23% 효율로 만듭니다.하프 컷 기술과 결합 된 182mm 모노 PERC 태양 전지의 72 개 조각은 최대 545 와트전력으로 태양 전지 패널을 만들 수 있습니다. 고출력 태양전지 패널은 태양광 PV 시스템의 BOS 비용을 절감하는 데 도움이 됩니다.

TOPCON(터널 산화물 부동태화 접촉) 기술은 N형 태양 전지 효율을 최대 24.5%까지 높입니다. 단결정 N형 182mm TOPCon 태양 전지는 24.5% 효율에서 정격 전력 8.08W입니다. 양면 태양 전지로 구성된 양면 태양 전지 패널은 30%를 생성할 수 있습니다. 단면 태양 전지판에 비해 더 많은 전력.

PERT 기술로 업그레이드된 TOPCON(터널 산화물 패시베이트 접합) 기술은 AlOx/SiNx 패시베이션 레이어와 결합되어 N형 166mm 태양전지 효율을 최대 24.4%까지 높입니다.모노크리스탈 N타입 166mm TOPCon 태양전지는 24.4%의 효율로 6.69와트정격전력을 자랑한다.

N형 모노 바이페이셜 PERT(패시드 방출기 리어 완전 확산) 실리콘 태양전지는 높고 안정화된 변환 효율을 지니고 있습니다.n형 양면 PERT 태양전지는 우수한 방출기 접합 품질과 균일성을 위해 일방적 도핑용 이온 임플란트를 사용하여 공정 흐름을 사용하여 제조할 수 있으며, 단일 열 음막, 통합 AlOx/SiNx 패시션 층 및 전면 및 후면에 스크린 인쇄

N형 Mono bifacial PERT(passivated emitter rear whole diffused) 실리콘 태양전지는 높고 안정적인 변환 효율을 가지고 있습니다. 광 유도 열화를 견디는 능력과 일반적인 금속 불순물에 대한 높은 내성 어닐링, 통합 AlOx/SiNx 패시베이션 층 및 전면 및 후면에 스크린 인쇄된 Ag 그리드.

PERC 전지 기술은 30년 동안 사용되어 왔으며 일반적으로 모든 태양광 설명서에 나오는 표준 전지 아키텍처와 다른 태양 전지 아키텍처를 정의합니다. PERC는 기록 효율성의 히트 목록에서 높습니다. 지난 12개월 동안 세계 기록은 6번이나 깨졌습니다. 오늘날 가장 높은 효율 23.95%의 PERC 전지는 중국 태양광 PV 선두업체 중 한 곳에서

PREC는 Passivated Emitter 및 Rear Cell의 약자입니다. 이것은 P형 단결정 실리콘 태양 전지를 기반으로 합니다. PERC 전지 기술은 30년 동안 사용되어 왔으며 일반적으로 모든 태양광 설명서에 등장하는 표준 전지 아키텍처와 다른 태양 전지 아키텍처를 정의합니다. PERC가 PERC{0}} 수준으로 업그레이드되었습니다.