산업 생산에서 가장 높은 효율성을 특징으로 하는 세포 기술이 N형 Cz-Si 웨이퍼를 기반으로 한다는 사실은 n형 웨이퍼가 고효율 태양전지에 가장 적합한 재료인 이유를 보여주는 놀라운 시연입니다. 세부 사항에 더 가고, N 유형 대 P 유형의 우월성에 대한 몇 가지 물리적 이유가 있다, 가장 중요한 것은 다음과 같습니다 :
붕소의 부재로 인해 붕소 산소 복합체로 인해 p 형 시 웨이퍼에서 발생하는 빛 유도 저하 (LID)가 없습니다.
N형 Si는 눈에 띄는 금속 불순물에 덜 민감하기 때문에, 일반적으로 n형 Cz-Si의 소수 캐리어 확산 길이는 p형 Cz-Si에 비해 상당히 높다.
N형 Si는 B-확산과 같은 고온 공정 에서 분해되기 쉽다.
1 재질 특성
재산 | 사양 | 검사 방법 |
성장 방법 | CZ | |
결정성 | 단결정 | 특혜 에칭 기술（ASTM F47-88） |
전도도 유형 | N형 | 냅슨 EC-80TPN |
도판트 | 인 | - |
산소 농도[오이] | ≦8E+17/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
탄소 농도[Cs] | ≦5E+16/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
에칭 피트 밀도(탈위치 밀도) | ≦500cm-3 | 특혜 에칭 기술（ASTM F47-88） |
표면 방향 | <100>±3° | 엑스레이 회절 방법(ASTM F26-1987) |
의사 사각형 측면의 방향 | <010>,<001>±3° | 엑스레이 회절 방법(ASTM F26-1987) |
2 전기적 특성
재산 | 사양 | 검사 방법 |
저항력 | 0.2-2.0 Ω.cm 0.5~3.5 Ω.cm Ω.0.0 1.5-12 Ω.cm 기타 저항성 | 웨이퍼 검사 시스템 |
MCLT (소수 캐리어 수명) | ≧1000μs(저항 > 1Ωcm) | 신턴 과도 |
3 기하학
재산 | 사양 | 검사 방법 |
기하학 | 의사 광장 | |
베벨 가장자리 모양 | 둥근 | |
웨이퍼 크기 (측면 길이*측면 길이 * 직경 | M0: 156*156*φ210mm M1: 156.75*156.75*φ205mm M2: 156.75*156.75*φ210mm | 웨이퍼 검사 시스템 |
인접한 측면 사이의 각도 | 90±3° | 웨이퍼 검사 시스템 |
인기 탭: N 타입 156.75mm 단결정 태양 웨이퍼, 중국, 공급 업체, 제조 업체, 공장, 중국에서 만든
