설명
기술적인 매개 변수
【상품 설명】
실리콘 이종접합 기술(HJT)은 매우 잘 세척된 단결정 실리콘 웨이퍼의 양면에 있는 초박형 비정질 실리콘(a-Si:H) 층의 저온 성장에 의해 생성되는 이미터 및 후면 전계(BSF)를 기반으로 합니다. , 전자와 정공이 광 생성되는 두께가 200μm 미만입니다.
전지 공정은 우수한 금속화를 허용하는 투명 전도성 산화물의 증착에 의해 완료됩니다. 금속화는 대부분의 셀에 대해 업계에서 널리 사용되는 표준 스크린 인쇄 또는 혁신적인 기술로 수행할 수 있습니다.
이종접합 기술(HJT) 실리콘 태양 전지는 전체 공정에 일반적으로 250°C 미만의 저온 공정을 사용하면서 최대 25%의 높은 변환 효율을 달성할 수 있기 때문에 많은 관심을 받았습니다. 낮은 처리 온도로 인해 높은 수율을 유지하면서 두께가 100μm 미만인 실리콘 웨이퍼를 처리할 수 있습니다.

【프로세스 흐름】

【주요 특징들】
높은 효과 및 높은 Voc
낮은 온도 계수 5-8% 전력 출력 이득
양면 구조
【기술 데이터】



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