N형 모노 양면 HJT 태양전지

실리콘 이종접합 기술(HJT)은 전자와 정공이 광생성되는 200μm 미만의 매우 잘 세척된 단결정 실리콘 웨이퍼 양면의 초-비정질 실리콘(a-Si:H) 층의 저온 성장에 의해 생성되는 이미터 및 후면 전계(BSF)를 기반으로 합니다. 셀 공정은 우수한 금속화를 가능하게 하는 투명 전도성 산화물의 증착으로 완성됩니다. 금속화는 대부분의 셀에 대해 업계에서 널리 사용되는 표준 스크린 인쇄 또는 혁신적인 기술을 통해 수행할 수 있습니다.

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제품 설명

HJT 셀 코어 구조

실리콘 이종접합 기술(HJT)은 매우 잘 세척된 단결정 실리콘 웨이퍼(두께 200μm 미만)의 양면에서 전자와 정공이 광생성되는 초박형 비정질 실리콘(a-Si:H) 층의 저온 성장에 의해 생성되는 이미터 및 후면 전계(BSF)를 기반으로 합니다.

HJT 셀 제조 공정

전지 공정은 우수한 금속화를 가능하게 하는 투명 전도성 산화물의 증착으로 완성됩니다. 금속화는 대부분의 셀에 대해 업계에서 널리 사용되는 표준 스크린 인쇄 또는 혁신적인 기술을 통해 수행할 수 있습니다.

HJT 기술의 장점

이종접합 기술(HJT) 실리콘 태양전지는 전체 공정에서 일반적으로 250도 미만의 저온 공정을 사용하면서 최대 25%의 높은 변환 효율을 달성할 수 있기 때문에 많은 주목을 받고 있습니다. 낮은 처리 온도로 인해 높은 수율을 유지하면서 두께가 100μm 미만인 실리콘 웨이퍼를 처리할 수 있습니다.

프로세스 흐름

Process flow A black

주요 기능

높은 Eff 및 높은 Voc

낮은 온도 계수 5-8% 전력 출력 이득

양면 구조

【기술자료】

HJT solar cell Technical Data 1R

기술 데이터 및 디자인		온도 계수 및 납땜성
차원	156.75mm*156.75mm±0.25	TkUoc(%/K)	-0.27
두께	190±30 µm	TkIsc(%/K)	+0.05
앞쪽	5개의 부스바	TkPMAX(%/K)	-0.336
뒤쪽에	5개의 부스바	박리 강도 최소	>1.4N/mm

HJT solar cell Technical Data 2R

아니요.	효율성(%)	뽀뽀(W)	으옥(V)	Isc (A)	FF (%)
1	23.50	5.74	0.743	9.6	80.53
2	23.40	5.72	0.741	9.592	80.43
3	23.30	5.70	0.74	9.585	80.33
4	23.20	5.67	0.738	9.577	80.24
5	23.10	5.65	0.737	9.57	80.14
6	23.0	5.63	0.735	9.562	80.04
7	22.90	5.60	0.733	9.554	79.94
8	22.80	5.58	0.732	9.547	79.84
9	22.70	5.55	0.73	9.539	79.75
10	22.60	5.53	0.729	9.532	79.65
11	22.50	5.51	0.727	9.524	79.55
12	22.40	5.48	0.725	9.516	79.45
13	22.30	5.46	0.724	9.509	79.36
14	22.20	5.44	0.722	9.501	79.26
15	22.10	5.41	0.721	9.494	79.16
16	22.00	5.39	0.719	9.486	79.06
17	21.90	5.37	0.717	9.479	78.97
18	21.80	5.35	0.716	9.471	78.87
19	21.70	5.32	0.714	9.463	78.77
20	21.60	5.30	0.712	9.456	78.67
21	21.50	5.28	0.711	9.448	78.57