N형 의사스퀘어 양면 PERT 태양전지

N형 의사스퀘어 양면 PERT 태양전지

N형 모노 바이페이셜 PERT(패시드 방출기 리어 완전 확산) 실리콘 태양전지는 높고 안정화된 변환 효율을 지니고 있습니다. n형 양면 PERT 태양전지는 우수한 방출기 접합 품질과 균일성을 위해 일방적 도핑용 이온 임플란트를 사용하여 공정 흐름을 사용하여 제조할 수 있으며, 단일 열 음막, 통합 AlOx/SiNx 패시션 층 및 전면 및 후면에 스크린 인쇄 Ag 그리드를 사용할 수 있습니다.
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설명
기술적인 매개 변수

【상품 설명】

N형 모노 바이페이셜 PERT(패시드 방출기 리어 완전 확산) 실리콘 태양전지는 높고 안정화된 변환 효율을 지니고 있습니다.

n형 양면 PERT 태양전지는 우수한 방출기 접합 품질과 균일성을 위해 일방적 도핑용 이온 임플란트를 사용하여 공정 흐름을 사용하여 제조할 수 있으며, 단일 열 음막, 통합 AlOx/SiNx 패시션 층 및 전면 및 후면에 스크린 인쇄 Ag 그리드를 사용할 수 있습니다.

N pert cross small

[공정 흐름]

Process flow drawn

【주요 기능】

높은 신뢰성을 갖춘 높은 변환 효율

빛으로 인한 분해 없음

안정적인 공정 제어를 갖춘 균일한 셀 성능

양면은 전기를 생성할 수 있습니다.

낮은 조사 하에 우수한 발전 성능

낮은 핫스팟 위험

[기술 데이터]

 

기술 데이터 및 설계


온도 계수 및 납땜성

차원

158.75mm*158.75mm±0.25


TkUoc (%/K)

-0.302

두께

190±30 μm


TkIsc (%/K)

+0.048

전선

5 부스바


TkPMAX (%/K)

-0.38

뒤로

5 부스바


필 강도 최소

>1.4N/mm

 

STC의 전기 파라미터

아니요.

효율성(%)

Pmpp (W)

우옥 (V)

이스 (A)

FF (%)

1

23.00%

5.75

0.700

10.110

81.28

2

22.90%

5.73

0.699

10.098

81.19

3

22.80%

5.70

0.698

10.070

81.13

4

22.70%

5.68

0.697

10.063

81.02

5

22.60%

5.65

0.696

10.045

80.86

6

22.50%

5.63

0.695

10.031

80.78

7

22.40%

5.60

0.694

10.011

80.64

8

22.30%

5.58

0.693

10.000

80.55

9

22.20%

5.55

0.692

9.986

80.40

10

22.10%

5.53

0.691

9.979

80.24

11

22.00%

5.50

0.690

9.961

80.07

12

21.90%

5.48

0.689

9.951

79.96

13

21.80%

5.45

0.688

9.933

79.82

14

21.70%

5.43

0.687

9.914

79.78

15

21.60%

5.40

0.686

9.895

79.62

16

21.50%

5.38

0.685

9.875

79.58

17

21.40%

5.35

0.684

9.856

79.42

18

21.30%

5.33

0.683

9.844

79.34

19

21.20%

5.30

0.682

9.818

79.22

20

21.10%

5.28

0.681

9.800

79.18

21

21.00%

5.25

0.680

9.775

79.08

Factory 01 - DS New Energy.jpg

  

인기 탭: N 타입 의사 스퀘어 바이페이스 PERT 태양 전지, 중국, 공급 업체, 제조 업체, 공장, 중국에서 만든

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