【상품 설명】
실리콘 이종접합 기술(HJT)은 매우 잘 세척된 단결정 실리콘 웨이퍼의 양면에 있는 초박형 비정질 실리콘(a-Si:H) 층의 저온 성장에 의해 생성되는 이미터 및 후면 전계(BSF)를 기반으로 합니다. , 전자와 정공이 광 생성되는 두께가 160μm 미만입니다.
【프로세스 흐름】
【주요 특징들】
높은 효과 및 높은 Voc
낮은 온도 계수 5-8 퍼센트 전력 출력 이득
양면 구조
【주요 특징들】
고효율 및 높은 Voc
낮은 온도 계수 5-8 퍼센트 전력 출력 이득
양면 구조
【기술 데이터】
기술 데이터 및 설계 | 온도 계수 및 납땜성 | |||
치수 | 166mm*166mm±0.25 | TkUoc(백분율/K) | -0.192 | |
두께 | 150 + 20μm/-10μm | TkIsc(백분율/K) | 플러스 0.035 | |
앞쪽 | 9×0.1mm 용접 스폿형 전면 전극 | TkPMAX(퍼센트/K) | -0.236 | |
뒤 | 9×0.1mm 용접 스폿형 후면 전극 | 박리 강도 최소 | >1.4N/mm | |
STC의 전기 매개변수 | |||||||
아니. | 효율성(백분율) | mppp (W) | 욱 (V) | 이스크 (A) | 음프 (V) | 임프(A) | FF(퍼센트) |
1 | 24.40 | 6.69 | 0.746 | 10.758 | 0.644 | 10.386 | 83.35 |
2 | 24.30 | 6.66 | 0.746 | 10.754 | 0.644 | 10.352 | 83.10 |
3 | 24.20 | 6.63 | 0.745 | 10.750 | 0.643 | 10.318 | 82.84 |
4 | 24.10 | 6.61 | 0.745 | 10.745 | 0.643 | 10.282 | 82.56 |
5 | 24.00 | 6.58 | 0.744 | 10.740 | 0.642 | 10.245 | 82.27 |
6 | 23.90 | 6.55 | 0.744 | 10.728 | 0.642 | 10.210 | 82.06 |
7 | 23.80 | 6.52 | 0.744 | 10.716 | 0.641 | 10.175 | 81.84 |
8 | 23.70 | 6.50 | 0.744 | 10.683 | 0.642 | 10.124 | 81.76 |
9 | 23.60 | 6.47 | 0.744 | 10.649 | 0.642 | 10.072 | 81.67 |
10 | 23.50 | 6.44 | 0.743 | 10.628 | 0.640 | 10.072 | 81.64 |
11 | 23.40 | 6.41 | 0.741 | 10.607 | 0.637 | 10.072 | 81.61 |
12 | 23.30 | 6.39 | 0.741 | 10.602 | 0.635 | 10.058 | 81.35 |
13 | 23.20 | 6.36 | 0.740 | 10.596 | 0.633 | 10.043 | 81.09 |
14 | 23.10 | 6.34 | 0.741 | 10.563 | 0.635 | 9.979 | 80.88 |
15 | 23.00 | 6.31 | 0.742 | 10.530 | 0.636 | 9.914 | 80.67 |
16 | 22.90 | 6.28 | 0.742 | 10.504 | 0.635 | 9.890 | 80.57 |
17 | 22.80 | 6.25 | 0.742 | 10.477 | 0.634 | 9.865 | 80.46 |
18 | 22.70 | 6.23 | 0.741 | 10.488 | 0.632 | 9.850 | 80.18 |
19 | 22.60 | 6.20 | 0.739 | 10.499 | 0.630 | 9.834 | 79.89 |
20 | 22.50 | 6.17 | 0.738 | 10.496 | 0.629 | 9.809 | 79.72 |
21 | 22.40 | 6.14 | 0.736 | 10.493 | 0.628 | 9.784 | 79.54 |
【스펙트럼 응답】
【강도 의존성】
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