설명
기술적인 매개 변수
단결정 웨이퍼 생산 흐름은 절단, 세척 및 분류 절차로 구성됩니다. 현재 전 세계 PV용 Cz-Si 결정 생산 능력의 80% 이상이 p typ 전용입니다.e.
1 재료 속성
특성 | 사양 | 검사 방법 |
성장 방법 | CZ | |
결정도 | 단결정 | 우선적인 에칭 기법（ASTM F47-88） |
전도도 유형 | P형 | 냅슨 EC-80TPN P/N |
도펀트 | 붕소, 갈륨 | - |
산소 농도[Oi] | ≦9E+17 at/cm3 | FTIR(ASTM F121-83) |
탄소 농도[Cs] | ≦5E+16 at/cm3 | FTIR(ASTM F123-91) |
에칭 피트 밀도(전위 밀도) | ≦500cm-3 | 우선적인 에칭 기법（ASTM F47-88） |
표면 방향 | & lt;100>±3° | X선 회절법(ASTM F26-1987) |
유사 정사각형 면의 방향 | & lt;010>,<001>±3° | X선 회절법(ASTM F26-1987) |
2 전기적 특성
특성 | 사양 | 검사 방법 |
비저항 | 1-3 Ωcm (어닐링 후) | 웨이퍼 검사 시스템 |
MCLT(소수 캐리어 수명) | ≧20 μs | 신톤 QSSPC |
3 기하학
특성 | 사양 | 검사 방법 |
기하학 | 의사 광장 | |
베벨 가장자리 모양 | 일주 | |
웨이퍼 크기 (옆길이*옆길이 *지름 | M0: 156*156*ϕ210mm M1: 156.75*156.75* ϕ205mm M2: 156.75*156.75* ϕ210mm | 웨이퍼 검사 시스템 |
인접한 변 사이의 각도 | 90±3° | 웨이퍼 검사 시스템 |
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