【제품 소개】
물성
매개 변수 | 특성 | ASTM 제어 방법 |
유형 / 도펀트 | P, 붕소 N, 인 N, 안티 모니 N, 비소 | F42 |
오리엔테이션 | 고객 사양 별 <100>, <111> 슬라이스 오프 방향 | F26 |
산소 함량 | 10 19 ppmA 고객 사양 별 맞춤 공차 | F121 |
탄소 함량 | <0.6> | F123 |
비저항 범위 - P, 붕소 - N, 인 - N, 안티 모니 - N, 비소 | 0.001 - 50 옴 · cm | F84 |
기계적 특성
매개 변수 | 초기 | 모니터 / 테스트 A | 테스트 | ASTM 방법 |
직경 | 150 ± 0.2 mm | 150 ± 0.2 mm | 150 ± 0.5 mm | F613 |
두께 | 675 ± 20 μm (표준) | 675 ± 25 μm (표준) 450 ± 25 μm 625 ± 25 μm 1000 ± 25 μm 1300 ± 25 μm 1500 ± 25 μm | 675 ± 50 μm (표준) | F533 |
TTV | <5> | <10> | <15> | F657 |
활 | <30> | <30> | <50> | F657 |
덮개 | <30> | <30> | <50> | F657 |
에지 라운딩 | SEMI-STD | F928 | ||
마킹 | 기본 SEMI-Flat 전용, SEMI-STD Flats Jeida Flat, 노치 | F26, F671 | ||
표면 품질
매개 변수 | 초기 | 모니터 / 테스트 A | 테스트 | ASTM 방법 |
전면 기준 | ||||
표면 상태 | 화학 기계 연마 | 화학 기계 연마 | 화학 기계 연마 | F523 |
표면 거칠기 | <2 a=""> | <2 a=""> | <2 a=""> | |
오염, 입자> 0.3 μm | = 20 | = 20 | = 30 | F523 |
안개, 구덩이, 오렌지 껍질 | 없음 | 없음 | 없음 | F523 |
톱 마크, 줄무늬 | 없음 | 없음 | 없음 | F523 |
뒷면 기준 | ||||
균열, 까마귀, 자국, 얼룩 | 없음 | 없음 | 없음 | F523 |
표면 상태 | 가성 에칭 | F523 | ||
【 제품 설명 】
미세 유체 응용 분야에 완벽합니다. 마이크로 일렉트로닉스 또는 MEMS 어플리케이션의 경우 자세한 사양을 문의하십시오.
반도체 소자는 계속 줄어들고 있으며 웨이퍼의 표면 및 후면 모두 높은 표면 품질을 갖는 것이 점차 중요 해지고 있습니다. 현재 이러한 웨이퍼는 MEMS (microelectromechanical systems), 웨이퍼 본딩, SOI (silicon on insulator) 제조 및 엄격한 평탄도 요구 사항을 가진 어플리케이션에서 가장 보편적입니다. 마이크로 일렉트로닉스 (Microelectronics)는 반도체 산업의 발전을 인정하며 모든 고객 요구 사항에 대한 장기적인 솔루션을 찾는 데 전념하고 있습니다.
100mm ~ 300mm 범위의 모든 웨이퍼 직경에서 양면 연마 된 웨이퍼를 대량으로 보유합니다. 귀하의 사양이 우리의 재고 목록에서 제공되지 않는 경우, 우리는 고유 한 사양에 맞도록 웨이퍼를 주문 생산할 수있는 수많은 공급 업체와 장기간 관계를 맺었습니다. 이중면 연마 웨이퍼는 반도체 산업에서 일반적으로 사용되는 실리콘, 유리 및 기타 재료로 이용할 수 있습니다.
사용자 요구에 따라 맞춤형 다이 싱 및 폴리싱도 가능합니다. 언제든지 연락 주시기 바랍니다.
【 제품 특징 】
· 6 "P / N 타입, 광택 실리콘 웨이퍼 (25 개)
· 오리엔테이션 : 150
· 비저항 : 0.1 - 40 옴 · cm (배치마다 다를 수 있음)
· 두께 : 675 +/- 20um
· Prime / Monitor / Test Grade
인기 탭: 6 인치 (150mm) 웨이퍼, 중국, 공급 업체, 제조업체, 공장, 중국 제
