근원 : 진보 된 기능적인 물자
투명 전극의 기생 흡수는 페 로브 스카이 트 기반 탠덤 태양 전지의 전력 변환 효율 (PCE)을 30 % 이상으로 높일 수있는 주요 장애 요인 중 하나입니다. 이러한 손실을 줄이고 광 커플 링을 최대화하려면 특히 장치 전면에서 이러한 전극의 광대역 투명도를 향상시켜야합니다.
탠덤 이미지 당 NIR 응답 향상
Erkan Aydin과 KAUST Photovoltaics Laboratory의 동료들은 최근 주석을 첨가 한 산화 인듐 (ITO) 전극에 비해 개선 된 근적외선 (NIR) 응답을 통해 Zr 도핑 산화 인듐 (IZRO) 투명 전극의 우수한 특성을 보여주었습니다 . 최적화 된 IZRO 막은 매우 낮은 전자 이동도 (최대 77 cm2 V-1 s-1)를 특징으로하며 매우 낮은 시트 저항 (어닐링 된 100 nm 필름의 경우 ≈ 18 Ω -1)으로 높은 적외선 투명 필름을 가능하게합니다. 디바이스의 경우, 이는 태양 스펙트럼 (250 - 2500 nm 범위) 내에서 IZRO에 대해 단지 약 5 %의 기생 흡수를 나타내며, 상용 ITO의 경우 약 10 %와 비교된다.
또한이 팀은 4 단자 페 로브 스카이 트 / 실리콘 직렬 장치에 대해 26.2 % PCE를보고했으며 실리콘 바닥 전지에서 3.5 mA cm-2의 단락 전류가 절대적으로 향상되는 것은 상업적 ITO 전극을 IZRO로 대체함으로써 얻어졌다.
