P형 158.75mm 단결정 태양광 웨이퍼

P형 158.75mm 단결정 태양광 웨이퍼

현재 실리콘 태양광 PV는 156.75mm x 156.75mm P형 단결정 웨이퍼를 주로 사용하지만 일부는 158.75mm x 158.75mm와 같은 더 큰 웨이퍼 및 셀 크기로 마이그레이션되고 있습니다. 일부 제조업체는 이미 해당 프로세스를 시작했습니다. 158.75mm 정사각형 웨이퍼가 더 많은 관심을 받는 이유 중 하나는 기존 제조 장비의 개장 및 유지를 제공하는 과거의 표준 60셀 및 72셀 모듈에 근접한 모듈 치수 때문입니다. 미래에 모노-Si 웨이퍼의 경우 158.75mm 정사각형이 대부분의 태양광 PV 제조업체에서 가장 많이 채택되는 디자인이 될 것입니다. 물론 이보다 더 큰 웨이퍼를 사용하는 제조업체도 있습니다. 예를 들어 LG와 한화큐셀은 M4 웨이퍼(161.7mm)를 사용하고 롱기는 166mm(M6) 웨이퍼를 판촉하고 있다.
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설명
기술적인 매개 변수


158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


현재 실리콘 태양광 PV는 156.75mm x 156.75mm P형 단결정 웨이퍼를 주로 사용하지만 일부는 158.75mm x 158.75mm와 같은 더 큰 웨이퍼 및 셀 크기로 마이그레이션되고 있습니다. 일부 제조업체는 이미 해당 프로세스를 시작했습니다. 158.75mm 정사각형 웨이퍼가 더 주목받는 이유 중 하나는 과거의 표준 60셀에 근접한 모듈 치수와72셀 모듈로 기존 제조 장비의 개조 및 유지를 제공합니다.

모노-Si 웨이퍼의 미래에는 158.75mm 정사각형이 대부분의 태양광 PV 제조업체에서 가장 많이 채택되는 디자인이 될 것입니다. 물론 이보다 더 큰 웨이퍼를 사용하는 제조업체도 있습니다. 예를 들어 LG와 한화큐셀은 M4 웨이퍼(161.7mm)를 사용하고 롱기는 166mm(M6) 웨이퍼를 판촉하고 있다.


1 재료 속성

특성

사양

검사 방법

성장 방법

CZ


결정도

단결정

우선적인 에칭 기법ASTM F47-88

전도도 유형

P형

냅슨 EC-80TPN

P/N

도펀트

붕소, 갈륨

-

산소 농도[Oi]

≦8E+17 at/cm3

FTIR(ASTM F121-83)

탄소 농도[Cs]

5E+16 at/cm3

FTIR(ASTM F123-91)

에칭 피트 밀도(전위 밀도)

500cm-3

우선적인 에칭 기법ASTM F47-88

표면 방향

& lt;100>±3°

X선 회절법(ASTM F26-1987)

유사 정사각형 면의 방향

& lt;010>,<001>±3°

X선 회절법(ASTM F26-1987)

2 전기적 특성

특성

사양

검사 방법

비저항

0.5-1.5Ωcm

웨이퍼 검사 시스템

MCLT(소수 캐리어 수명)

50 μs

신톤 BCT-400

(주입 레벨: 1E15 센티미터-3)

3기하학



특성

사양

검사 방법

기하학

전체 사각형


웨이퍼 측면 길이

158.75±0.25mm

웨이퍼 검사 시스템

웨이퍼 직경

φ223±0.25mm

웨이퍼 검사 시스템

인접한 변 사이의 각도

90° ± 0.2°

웨이퍼 검사 시스템

두께

18020/10 µm;

17020/10 µm

웨이퍼 검사 시스템

TTV(총 두께 편차)

27 µm

웨이퍼 검사 시스템



image

4 표면 속성

특성

사양

검사 방법

절단 방법

DW

--

표면 품질

절단 및 세척 시 눈에 보이는 오염이 없음(기름 또는 그리스, 지문, 비누 얼룩, 슬러리 얼룩, 에폭시/접착제 얼룩은 허용되지 않음)

웨이퍼 검사 시스템

톱 마크 / 단계

≤ 15µm

웨이퍼 검사 시스템

≤ 40 µm

웨이퍼 검사 시스템

경사

≤ 40 µm

웨이퍼 검사 시스템

깊이 ≤0.3mm 및 길이 ≤ 0.5mm 최대 2/개; V 칩 없음

육안 또는 웨이퍼 검사 시스템

미세 균열/구멍

허용되지 않음

웨이퍼 검사 시스템




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